[반도체 8대 공정] 웨이퍼(Wafer) 제조공정

https://www.samsungsemiconstory.com/1458?category=779002

 

1. 잉곳(ingot) 만들기

 

모래에서 추출한 실리콘을 반도체 재료로 사용하기 위해선 순도를 높이는 정제과정이 필요

실리콘 원료를 녹여 고순도의 용액을 만들고 결정 성장시켜 굳힘

이렇게 굳혀진 실리콘 기둥을 잉곳(ingot)이라고 함

 

2. 얇은 wafer를 만들기 위해 ingot 절단(wafer slicing)

 

다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로 얇게 썰어야함

두께가 얇을 수록 제조원가 DOWN

지름이 클수록 한번에 생산 수량 UP
웨이퍼 두께와 크기는 점차 얇고 커지는 추세

 

3. 웨이퍼 표면 연마(lapping＆polishing) / CMP(Chemical Mechanical Polishing, 화학적 기계적 연마

 

절단 직후의 웨이퍼는 표면에 흠결이 거칠기 때문에 회로의 정밀도에 영향을 미칠 수 있음

그래서 연마액과 연마 장비(polishing machine)을 통해 웨이퍼 표면을 매끄럽게 갈아냄

 

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1. 다이(die) > IC칩 하나하나를 말함

2. 스크라이브 라인(scribe line) > 다이를 사이 간격 

3. 플랫존(flat zone) > 웨이퍼의 수직,수평 판단

4. 노치(notch) > 플랫존과 같은 쓰임새지만 좀더 효율적