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[추가학습] Energy band-gap 이란 무엇일까? 본문
(1) 실리콘의 결정 구조 ( crystal structure of silicon)
실리콘(silicon,Si)은 원자번호 14번의 원자
중요한 것은 최외각전자가 4개 라는 사실
최외각 전자는 원자핵과의 결합이 약함(핵과 멀어질 수록 약해짐)
그러므로 당연히 원재핵의 영향에서 이탈하기가 가장 쉬움
원자핵과의 결합을 깨고 이탈한 전자 > 자유전자
그렇다면 왜 전자들이 결합을 깨려고 하는가?
원소들은 안정된 상태로 변화하려는 특성을 가지고 있는데
최외각 전자 개수를 기준으로 8개가 안정된 상태임
실리콘은 그러므로 불안정한 상태 > 결합을 통해 최외각 전자를 8개로 만들려고함
(2) energy band 와 energy gap
전자들은 모두 양자화된 에너지를 가지고 있음 > 추후 더 공부해보기
원자가 하나일때는 에너지 준위가 선으로 나타나게 됨
고체결정 구조가 되면 에너지 준위는 세분화되고 그 간격이 촘촘해짐 > 정확한 이해를 하기 위해선 좀더 공부가 필요함
에너지 준위가 촘촘해져 특성 구간내에 모든 에너지 준위에 전자가 존재할 수 있게 됨 > energy band
energy band 사이에 전자가 존재할 수 없는 에너지 구간 > forbidden band(금지대)
전자가 마지막으로 채워진 band > valence band
그 위 band > conduction band
conduction band에 있는 전자는 자유전자가 됨
그것이 가능해지려면 valence band에서 에너지를 얻어서 conduction band로 올라가야함
여기서부턴 잘 알고 있던 사실이긴 한데 그림을 통해 우선 보면
insulator(부도체)는 valence band가 모두 차있기 때문에
conduction band로 가기 위해선 band gap만틈의 에너지를 받아야함
부도체의 경우엔 이러한 gap이 커 에너지도 많이 필요함
semiconductor(반도체)의 경우엔 부도체와 유사한 구조지만
band gap이 작기 때문에 외부조건에 따라 전도성과 저항이 변함
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